A jelenleg az AI processzorok mellett ülő memória idővel felköltözhet föléjük. A Samsung ugyanis bemutatta az új, zHBM nevű memóriaarchitektúrát, amely a nagy sávszélességű memóriát közvetlenül egy AI gyorsító tetejére helyezné. Így rövidülne az út, amit az adatoknak a processzor és a memória között meg kell tenniük, ami javíthatja a teljesítményt, miközben kevesebb energiát fogyaszt.

A vállalat a zHBM-et a Future of Memory and Storage 2026 rendezvényen mutatta be a kaliforniai Santa Clarában. Emellett megjelent a zNAND-O, egy edge AI rendszerekhez szánt NAND dizájn, valamint a több mint 400 réteget tartalmazó V10 BV-NAND is.

A bejelentések közül a zHBM a legérdekesebb. A jelenlegi AI gyorsítók általában a processzorral azonos hordozóra, mellé helyezett HBM csomagokat használnak. Ez a felépítés már most is jóval gyorsabb, mint a hagyományos rendszermemóriára támaszkodni, de az adatoknak így is vízszintesen kell vándorolniuk a processzor és a HBM tornyok között.

A Samsung koncepciója ezzel szemben a gyorsító fölé költözteti a memóriát. A rövidebb kapcsolat nagyobb sávszélességet, alacsonyabb késleltetést és kisebb energiafogyasztást eredményezhet az óriási adatmennyiségek mozgatása közben.

Ez azért fontos, mert a memória az AI infrastruktúra egyik legszűkebb keresztmetszetévé vált. A gyorsabb processzorok csak akkor jelentenek előnyt, ha a memória elég gyorsan képes kiszolgálni őket adatokkal. Ahogy az AI modellek nőnek, úgy nő a nyomás a sávszélességen, a kapacitáson, a hűtésen és az energiafogyasztáson is.

A Samsung szerint egy jövőbeli zHBM interfész nagyjából nyolcszoros teljesítményt nyújthatna a HBM5-höz képest. A cég azt is állítja, hogy a wafer bonding technológia több mint tízszeres memóriasűrűséget, háromszoros energiahatékonyságot és kevesebb mint fele akkora hőellenállást tehet lehetővé.

Ezek az adatok jól hangzanak, de egyelőre csak előrejelzések. A Samsung a zHBM-et koncepció-architektúraként mutatja be, nem pedig kész termékként, amit a vásárlók már megrendelhetnek. Nincsenek független mérések, árak vagy megjelenési dátumok.

Az, hogy egy erős AI processzor fölé helyeznek memóriát, nyilvánvaló mérnöki kihívásokat is felvet. Már most is nehéz kezelni a hőt a sűrűn integrált gyorsítócsomagokban, a további szilíciumrétegek függőleges egymásra pakolása pedig tovább bonyolíthatja a hűtést és a gyártást. A Samsung szerint a bonding technológia csökkentheti a hőellenállást, de ez az állítás csak akkor lesz igazán fontos, ha a dizájn eljut a sorozatgyártásig.

Az architektúra arra is lehetőséget adhat, hogy az ügyfelek egy köztes rétegben saját, testreszabott szellemi tulajdont helyezzenek el a memória és a gyorsító között. Így a csomagokat kifejezetten bizonyos AI feladatokra lehetne szabni, ahelyett hogy mindenki ugyanazt a konfigurációt használná.

A Samsung nem árulta el, mikor válhat kereskedelmi termékké a zHBM. Egyelőre inkább azt mutatja meg, hogyan képzeli a cég az AI memóriacsomagolás fejlődését a HBM5 utáni korszakban.

A cég bemutatta a zNAND-O technológiát is, amely rétegelt felépítést alkalmaz a NAND flash esetében. A Samsung négy- és nyolcrétegű változatokon dolgozik, kifejezetten olyan peremhálózati AI rendszerekhez, amelyeknek alacsony késleltetésre és nagy be- és kimeneti teljesítményre van szükségük.

A közelebbi újdonság a V10 BV-NAND, egy új Bonding V-NAND architektúra, amely több mint 400 réteget tartalmaz.

Ahelyett, hogy a NAND teljes struktúráját egyetlen waferre építené, a Samsung a memória­cellákat a perifériás komponensekhez köti. A vállalat szerint ez körülbelül 58 százalékkal növeli a memóriasűrűséget a V9-hez képest, miközben a beolvasási, írási és be- és kimeneti teljesítmény is javul.

A Samsung az FMS 2026 rendezvényen egy szélesebb AI memória-útitervet is bemutatott, amelyben szerepelt a HBM4E, a HBM5, az LPDDR5X-PIM, valamint vállalati tárolók, például a PM1763 és a BM1773.

Az LPDDR5X-PIM a feldolgozás egy részét magán a memórián belül végzi. A cél, hogy csökkentsék az adatok állandó vándorlását a különálló komponensek között, időt és energiát takarítva meg.

A Samsung szerint 2026 februárjában kezdte meg a HBM4 tömeggyártását, és májusban már HBM4E mintákat is szállított az ügyfeleknek. Már most tárgyal a HBM5-ről és a zHBM-ről, ami jól mutatja, milyen gyorsan terveznek a memóriagyártók olyan termékek után, amelyek még alig jelentek meg a piacon.

A Samsung bejelentését erős marketing is kíséri, különösen az iparági vezető szerepre vonatkozó állítások körül. Maga a zHBM mögötti alapötlet viszont logikus. Az AI processzoroknak egyre gyorsabban kell hozzáférniük egyre nagyobb memóriakapacitáshoz, és az, hogy egyszerűen még több HBM-et tesznek a gyorsító mellé, hosszú távon nem old meg minden csomagolási problémát.

Lehet, hogy a memória közvetlenül a processzor fölé pakolása adja a válasz egy részét. Most a Samsungon a sor, hogy bizonyítsa: megbízhatóan tudja gyártani ezt a dizájnt, hatékonyan tudja hűteni, és a gyakorlatban is megközelíti azt a teljesítményt, amit ígér.

Addig a zHBM inkább izgalmas koncepció marad, nem pedig kész termék.